本文设计了一种可应用于高频开关电源、电机控制的高速、高压半桥驱动电路,其具有可驱动两个中功率MOSFET或IGBT管、实现DC/AC逆变等功能。论文的主要工作有：描述了高压集成电路(HVIC)的主要技术和应用领域；对驱动电路的主要结构与特性进行了分析研究,依据应用要求提出了半桥驱动电路的结构方案,并对电路的主要参数进行了分析计算；详细分析设计了主要模块电路即输入级电路、死区时间产生电路、欠压保护电路、高电平位移电路与输出级电路的结构与功能。输入级电路实现了TTL的5V输入电平到15V电平的位移,并对输入波形进行了整形；死区时间产生电路控制高低两路产生了两个有时间间隔的信号,避免了输出同时为高电平而导致的直通现象；欠压保护电路通过采样电压与基准电压相比较,输出一个高电平,锁定高低两路信号输出；电平位移电路实现了脉冲信号由低到高的平移,为了避免普通MOS管被高压击穿,采用了具有特殊结构的耐高压LDMOS管；为了防止静电效应与噪声干扰,在输入输出端设置了ESD保护。采用了华润上华的0.5μmCMOS工艺模型,运用Hspice与Spectre软件对各个电路模块进行了仿真分析,验证了设计的合理性。最后,采用版图设计软件Cadence中的Virtuoso Layout Editor对电路的版图进行了设计,取得了预期效果。