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钒氧化物的相变特性于半个世纪前被贝尔实验室的研究人员所发现。在这些钒氧化物中,二氧化钒(VO2)在68℃附近会发生可逆的一级金属-绝缘相变,其电学、光学、磁学等特性发生极大变化。因此其被广泛研究应用于太赫兹器件、光电开关、相变存储器、智能窗、微热辐射热计等领域中。二氧化钒薄膜材料由于制备方法不同,其相变性能诸如相变温度、幅度、热致宽度、THz透射比会有很大的变化。加之制备纯度高的VO2薄膜较为困难,一般都会形成混有V3+、V5+等钒氧化物的氧化钒(VOx)薄膜。为了使VOx薄膜具有更好的性能