GaN:Er及相关材料光学性质和结构研究

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【摘要】

：

稀土离子掺杂的GaN材料在光学、电学、磁学方面均有优异的特性,成为目前的研究热点。在所有的稀土离子中,稀土Er离子除了可以在红外波段发出1540nm的光,该波长对应于光纤通讯中光损失的最小波段,在绿光波段也存在发光,商业应用价值较高,因而稀土Er掺杂的GaN研究最受关注。本文采用离子注入方法制备了一系列Er、Pr、Tm稀土离子注入的GaN薄膜,并研究了稀土离子注入后Ga N薄膜的光学性质以及结构性

【作者】

：

莫亚娟

【机构】

：

苏州科技学院

【发表日期】

：

2016年01期

【关键词】

：

氮化镓稀土离子注入光学性质结构性质

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