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为了改善形状记忆聚氨脂（SMPU）存在的强度低、耐热性不足、电性能差等问题，利用四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)特有的三维空间立体结构，优良的力学性能、耐热性能和电学性能，将T-ZnOw与SMPU复合，制备T-ZnOw/SMPU复合材料，以期在提高SMPU力学性能的同时，提高SMPU的耐热性能和导电性能，以扩大SMPU的应用范围。由于T-ZnOw在复合材料中良好性能的发挥，必须建立在T-ZnOw能够均匀地分散在SMPU中的基础上。因此，为了制备具有良好复合效应的T-ZnOw/SMPU复合材料，本文首先针对T-ZnOw表面能太大，很难与树脂基体界面结合，且难以均匀分散到SMPU中的关键问题，分别使用聚乙二醇（PEG）分散剂和γ-（甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷（KH570）对T-ZnOw进行表面处理，并对处理前后T-ZnOw的表面性能进行表征。研究发现，经过表面处理后，T-ZnOw分别很好地负载了PEG和KH570。在对T-ZnOw表面改性处理的基础上，采用溶液混合法制备T-ZnOw/SMPU复合材料。研究发现，通过表面处理后的T-ZnOw制备的复合材料，其拉伸强度，储能模量得到较大程度的提高，当T-ZnOw含量为3wt%时复合材料的拉伸强度相对于纯SMPU提高了3多倍，拉伸弹性模量也得到了提高，并在一定程度上提高了复合材料的热稳定性；SMPU复合T-ZnOw后，SMPU的结晶度有一定的降低，但经过表面改性处理的T-ZnOw对SMPU的结晶度破坏程度比未经处理的T-ZnOw对SMPU的结晶度破坏程度小；SMPU与表面处理的T-ZnOw复合后，Tg有所提高，当T-ZnOw含量达3wt%时复合材料Tg比纯SMPU的提高了20℃。SMPU复合T-ZnOw后，形状记忆性能基本不变，且当T-ZnOw含量从1wt%提高到3wt%时，体积电阻率的下降幅度较大，但随着T-ZnOw含量的进一步增加，体积电阻率的下降幅度逐渐减缓，表面处理过的T-ZnOw/SMPU复合材料的导电性能要好于表面未经处理的T-ZnOw/SMPU复合材料。当T-ZnOw表面负载银颗粒时，T-ZnOw/SMPU复合材料的体积电阻率要远远低于表面未经负载银颗粒的T-ZnOw/SMPU复合材料，达到利用少量的填料即可改善SMPU导电性能的效果。