AgBr半导体（semiconductors，SCs）是一种重要的光催化材料，但是严重的光腐蚀作用阻碍了其在光催化领域中的实际应用。为了解决这一问题，本论文通过构建AgBr/SCs异质结结构来提高AgBr的光催化活性和稳定性，并结合光催化反应过程中产生的Ag纳米颗粒（nanoparticles，NPs）的作用研究AgBr/SCs的光催化反应机理。主要研究内容和结果如下：　　1. AgBr/WO3复合光催化剂的制备、表征及光催化性能。以WO3为载体，通过沉积-沉淀法合成了AgBr/WO3复合光催化剂。利用XRD、SEM和DRS对AgBr/WO3进行表征。通过改变实验条件，研究了各种反应影响因素（AgBr负载量、催化剂用量、染料初始浓度和光照强度）对甲基橙（methyl orange，MO）降解率的影响。结果表明AgBr负载量对光催化降解MO的影响最为显著，?OH在降解MO的过程中起到主要作用。　　2. AgBr/H2WO4复合光催化剂的合成、表征及光催化性能。以AgBr为载体，利用沉积-沉淀法合成了高效、稳定的复合光催化剂AgBr/H2WO4。并利用XRD、SEM、DRS和EDS对其进行表征。复合催化剂AgBr/H2WO4对降解MO和罗丹明B（rhodamine B，RhB）的光催化活性高于单独的AgBr和H2WO4。XPS结果表明AgBr/H2WO4在催化过程中转变成为Ag/AgBr/H2WO4体系，并且在5次循环实验后仍保持较好的光催化活性。在 AgBr表面生成的Ag NPs对Ag/AgBr/H2WO4的活性和稳定性起到重要的作用。　　3. AgBr/Ag3PO4复合光催化剂的制备、表征及光催化性能。以Ag3PO4为载体，使用阴离子交换法原位合成了AgBr/Ag3PO4。在可见光条件下，AgBr/Ag3PO4对MO表现出优异的光催化活性，其中AgBr的最佳含量为60 at.％。AgBr与Ag3PO4之间的异质结有效地促进了光生载流子的分离，而在光照过程中生成的Ag NPs体现出了一定的尺寸效应。　　4.异质结型 WO3/H2WO4复合光催化剂的构建、表征及光催化性能。以H2WO4为前驱体，采用热分解法合成了异质结型 WO3/H2WO4光催化剂。异质结型 WO3/H2WO4催化剂对降解 RhB的可见光光催化活性优于单一的WO3和H2WO4，并且WO3的重量分数为51.04 wt%的WO3/H2WO4表现出了最佳光催化活性。WO3/H2WO4光催化活性的增强可归结于WO3和H2WO4之间形成的异质结，有效阻止了光生电子-空穴对的复合。