电子产品的迅速更新换代对平板显示提出了大尺寸、高分辨、可弯曲等技术发展要求,非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)平板显示技术在这方面显示巨大的应用潜力。非晶InGaZnO (a-IGZO)作为一个经典体系被广泛研究并且已被用于产业化生产,但是In、Ga元素为稀有金属元素,储量少、价格高。ZnSnO (ZTO)作为a-IGZO的替代体系表现出优异的电学性能,但存在漏电流较大、稳定性较差等问题。本文掺入Ti作为稳定剂制备TiZnSnO (TZTO)薄膜,研究Ti含量对薄膜性质及器件性能的影响规律,主要包括如下内容：1.采用射频磁控溅射方法室温条件下制备不同Ti含量的TZTO非晶氧化物半导体薄膜,结果显示Ti含量的不断增大对薄膜的非晶结构、光学性能影响不大,而薄膜中氧空位浓度先降低后升高,表明Ti可以起到载流子抑制剂的作用,但同时要考虑薄膜质量对载流子浓度的影响。2.将TZTO薄膜作为有源层制备TFT器件,结果显示Ti含量的变化会对器件电学性能产生规律性影响。TZTO(0.02)-TFT器件综合电学性能最优,开关电流比为5.75×106,载流子饱和迁移率μsat为1.63 cm2V-1s-1,亚阈值摆幅SS值为1.07V/decade。同时,Ti的掺入可以作为稳定剂改善器件的栅极偏压稳定性。3.采用射频磁控溅射方法制备TZTO/Si异质结,使用XPS成功测定并得到异质结能带结构图。