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表面微区限制既可以控制低维材料的生长位置,也可以通过自融合生长等途径干涉并影响低维结构形貌及结晶状态。在本文中,我们利用多种微区限制方法对ZnO结构在不同尺寸及结晶状态下的融合生长进行研究,完善微区限制下融合生长的系统知识,并对相应结构的发光特性、电学特性进行研究,拟为位置可控的低维结构器件化打下基础。首先我们采用磁控溅射法在Si衬底上预先修饰一层ZnO籽晶层,探讨了不同溅射条件,包括改变衬底温度,退火温度,溅射功率,氩氧气体比等制备的籽晶层结晶质量关系。通过采用结晶质量良好的单晶ZnO衬底