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随着电子通讯设备信息处理量的日益增大，通讯载波频率必须向GHz或更高水平发展，因而多层膜结构声表面波（SAW）器件正因其高频特性而备受学者关注。（100）AlN由于具有高声速，（002）AlN具有高的机电耦合系数，结合以上两种晶向AlN薄膜的优点制备多层膜结构，利用该结构制成的SAW器件可以满足器件高频特性的需要。本文通过优化工艺，制备优质（100）和（002）AlN薄膜，将两种晶向AlN薄膜结合，制备出适合于SAW器件的多层AlN薄膜结构。本文介绍了SAW器件概念、结构、工作原理及其特点，根据当前国内外研究现状提出本文立论依据及主要工作。介绍了AlN薄膜的晶体结构等基本知识，AlN薄膜的常用制备手段和溅射参量，简述了AlN作为一种新型薄膜材料的应用及展望。开展了以下研究工作：首先，选用射频磁控溅射制备（100）AlN薄膜，研究氮氩比，溅射功率和工作压强等工艺条件对AlN薄膜质量的影响。结果表明在纯氮气条件下溅射功率为150W，工作压强为1.0Pa时为最佳制备（100）AlN薄膜工艺参数。此外，研究发现当衬底温度300℃时可获得良好择优取向，再进行原位氮气气氛退火1h后可有效改善薄膜结晶性和缓解薄膜应力，可制备出优质（100）AlN薄膜。第二，为了解决难以在（100）AlN上直接沉积（002）AlN的难题，考虑在两种晶向AlN之间添加Al缓冲层作为过渡。并将有无Al缓冲层对（002）AlN质量的影响进行对比。此外，将Al缓冲层溅射时间对（002）AlN薄膜质量的影响进行研究，结果表明：成膜后的Al膜上的（002）AlN相对于成膜前Al膜上的（002）AlN有更好的结晶性和更低的表面粗糙度，而且随着Al缓冲层溅射时间的增加，有助于改善（002）AlN薄膜结晶性和薄膜应力的释放，获得了理想的（002）AlN/Al/Si多层膜结构。第三，基于优化得到的（100）AlN薄膜作为衬底，结合可行的理论依据将（002）AlN/Al工艺沉积在（100）AlN薄膜衬底上来，优化工艺设计出（002）AlN/Al/（100）AlN/Si多层膜结构制备方案，制备出（002）AlN/Al/（100）AlN/Si多层膜结构，经测试性能良好。