1/f低频电噪声是评估半导体器件质量和寿命的一个重要因素。由于1/f低频电噪声极其微弱，为了检测它，同时最大程度降低放大器的本底噪声，低噪声放大器的设计和实现是至关重要的一个环节。目前概伦电子制造的1/f噪声检测系统9812D具备高端的检测性能，这是由于9812D同时内置多个电压和电流低噪声前置放大器的测试系统，可以确保针对不同的器件和测试条件都可以达到最高的测试精度。本文基于MAX412低噪声放大芯片以及仪表放大结构，对1/f低频电噪声放大器进行研究与设计分析。全文首先总结了国内外在低频低噪声放大领域的研究现状，在此基础上对1/f低频电噪声信号的特性进行了分析，确定了放大器的类型。接着对MAX412芯片的指标性能参数进行全面分析，包括电压噪声密度、等效输入噪声、温度特性、阻抗特性等，并对其单个运放单元建立噪声分析模型，将其与市面常用LT1028低噪声放大芯片进行关键指标的对比，突出其放大低频信号的优越性。最后根据核心放大模块的需要，以费里斯公式为理论基础，采用并改进差分输入结构，选取IFN152场效应管为主要半导体器件，配置了噪声性能极佳的前置放大电路。文章阐述了完整的电路设计过程，具体分析和计算了每个元器件的参数，并对设计完整的原理图进行全面的仿真，将仿真得出的数据进行讨论分析并得出结果。最终结果为：设计的放大器在1Hz-100kHz频率下具有高增益和低噪声特性，在10Hz处具有低至1.12nV/√Hz的等效输入噪声，噪声系数达到1.80dB。