随着工业化的发展,水污染已经成为一个全世界的问题。传统的降解水污染的方法,不能从根本上净化水,且易产生二次污染。近年来,新兴的半导体光催化法降解水污染物,不仅效率高而且环境友好,无污染。然而,光生电子和光生空穴的快速重组降低半导体材料的光催化活性。因此,本文采用脱合金化与化学处理相结合的方法制备了氧化亚铜/氢氧化铜与纳米多孔铜复合的材料,通过降低光生电子与空穴的复合来提高量子效率,进而提高复合材料的光催化活性。本文主要开展了以下研究工作:（1）采用单辊甩带设备制备了Ti_40.6Zr_9.4Cu_40.6Ni_6.3Sn_3.1非晶合金条带,通过在313 K的温度下和PVP含量不同的0.2 M HF溶液中脱合金化6 h制备出纳米多孔铜（NP Cu）。研究发现,NP Cu的孔径和韧带尺寸随着脱合金化溶液中PVP含量的增加而减小,随着PVP含量从0增加至10 g/L,NP Cu孔径从88 nm降至25nm。其细化NP Cu孔径的机理主要是因为PVP的存在降低了Cu原子的扩散系数。（2）研究了四种不同孔径特征的NP Cu基底上,生长在其表面的Cu₂O纳米带微观形貌及覆盖率等特征,研究发现随着NP Cu孔径和韧带尺寸的增加,Cu₂O纳米带覆盖率增加;研究了Cu₂O@NP Cu复合材料光催化降解甲基橙（MO）溶液的活性与Cu₂O覆盖率的关系,发现随着Cu₂O纳米带覆盖率从40.4%增加至87.9%,MO降解率呈线性升高。降解率提高的原因是由于高覆盖率增加NP Cu和Cu₂O之间的异质结,有利于光生电子的流动,进而提高材料的光催化性能。（3）以在0.2 M HF溶液中脱合金化6 h后制备的NP Cu为基底,将其碱性氧化不同时间制备出Cu（OH）₂/Cu₂O纳米带,并研究了Cu（OH）₂/Cu₂O@NP Cu复合材料对MO溶液的光催化降解行为。研究发现Cu（OH）₂/Cu₂O纳米带的长度和数量随着碱性氧化时间的增加而增加,碱性氧化时间为5 s的复合材料的降解率达98.5%。因反应初期生成的Cu₂O较多,提高了材料的光催化活性。