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微电子工业的飞速发展,迫切需要研制新型的、高效的半导体发光材料。硅是目前最重要也是应用最为广泛的半导体材料,然而硅是间接带隙材料,其发光效率非常低,根本满足不了现代大规模集成光电路的要求。因此实现硅基材料的高效发光无论对于基础研究还是对于实际应用都具有十分重要的意义。实现Si基材料的可见发光的一种有效方法就是形成纳米尺寸的Si单晶。生成纳米晶硅有多种方法,其中离子注入的方法是一种能与现代微电子技术兼容的方法。基于离子注入法,人们已经广泛地研究了SiO2薄膜发光改性及其机理。然而至今关于其发光机理还没