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本文的研究工作主要分为两个部分,第一部分研究了YBCO薄膜生长条件和性质,第二部分是Tl2212薄膜的制备和相关性质的研究。第一部分,由于LaAlO3基片与YBCO的晶格匹配比较好,在LaAlO3基片上生长YBCO薄膜相对比较容易,所以本文采用脉冲激光沉积法(PLD)对LaAlO3基片直接生长YBCO进行了研究。系统地摸索了不同工艺参数,如基片温度、基片与靶材的距离、激光脉冲频率、激光能量、沉积气压、薄膜厚度等对YBCO薄膜的影响,得出了沉积薄膜的最佳工艺。但是,PLD制备无可避