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该文研究了Nd<,2-x>Sr<,x>NiO<,4>多晶样品的电阻率、热电势、热导率、磁化率以及拉曼光谱.第一章:首先介绍了Nd<,2-x>Sr<,x>NiO<,4>多晶样品的晶体结构,分析了晶胞常数和体积对掺杂浓度的依赖关系以及非名义配比的氧含量对结构的影响,然后介绍了3d电子体系的电子态以及金属-绝缘体转变理论.第二章:对Nd<,2-x>Sr<,x>NiO<,4>的电阻率和热电势进行了研究,结果如下:(1)x≤0.5样品的电阻率和热电势都可以用变程跳跃模型很好地拟合.(2)x≥0.8样品的电阻率在室温以下出现金属-绝缘体转变,转变温度随着掺杂浓度的增大而降低.电阻率随掺杂浓度的增大系统地减小与其电子组态的变化有关.x=1.4样品的电阻率从室温到14K一直都保持金属性,热电势在低温下由负变为正,热电势符号的改变反映了载流子性质的变化.第三章:对Nd<,2-x>Sr<,x>NiO<,4>(x=0.33.1.4)样品的热导率和磁化率进行了研究,结果如下:(1)发现x=0.33样品的热导率和磁化率在Tco和Tso附近出现反常,其热导率的反常表明样品中存在强的电荷-声子和自旋-声子相互作用.(2)在x=1.4样品中没有观察到输运性质和磁性质上的反常,因此认为其中不存在电荷有序和自旋有序.第四章:对Nd<,2-x>SrxNiO4多晶样品的拉曼光谱进行了研究,发现所有组分样品在室温下的拉曼光谱都有两个能量峰220cm<-1>(R1)和450cm<-1>(R2).R1峰和R2峰的频率对掺杂浓度的依赖关系可以分别通过Nd-O层上Nd-O键所对应的力常数以及沿c轴方向的Ni-O-Nd长度的变化来解释.