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SiC是第三代半导体材料的核心之一,广泛用于制作电子器件,其加工质量和精度直接影响到器件的性能。SiC晶体硬度高,属于难加工材料,选择合适的加工方式及工艺参数对提高SiC晶体加工效率及质量有重要意义。本文提出利用环形固结金刚石线锯锯切SiC这一新技术,该锯切技术具有切缝窄、效率高、切片质量好和能加工大直径工件和超硬材料等有点,逐渐应用在硬脆材料的切割工艺中。本论文对环形电镀金刚石线锯切割SiC晶体材料锯切裂纹机理和加工质量进行了研究,建立了磨粒锯切力与锯丝锯切力的关系,提出了有限元分析裂纹扩展方法并对锯切表面裂纹深度进行了预测。所作的主要工作和取得的主要成果有：(1)总结线锯切割的优点和发展现状,以及硬脆材料锯切去除机理和加工质量研究现状。选取不同的锯丝速度和恒进给压力等锯切工艺参数进行了环形电镀金刚石线锯切割SiC晶体试验,记录试验锯切力和锯切效率。(2)研究了SiC晶体在不同工艺参数下的金刚石锯切质量和锯切效率。通过试验结果分析SiC晶体表面形貌、裂纹损伤和表面粗糙度随锯切工艺参数的变化情况。(3)分析锯切SiC试验中能够反映锯切难度的法向、切向锯切力及其比值并对比已有的单晶硅锯切试验,得出提高锯丝速度及恒进给压力的大小都可以较小程度上降低SiC的锯切难度,硬度更高的SiC晶体的加工难度更大。考虑磨粒在锯丝表面的非连续性分布,建立了单颗磨粒锯切力与锯丝总体锯切力的关系。(4)利用压痕断裂力学理论分析单颗磨粒作用下硬脆材料裂纹的产生,建立了单颗磨粒应力场和影响锯切裂纹的锯丝应力场。提出利用有限元的方法分析解决锯切表面裂纹产生和扩展的计算方法,为模拟锯丝整体作用下SiC晶体材料锯磨去除和裂纹产生做好了准备。(5)根据锯切材料的去除和损伤情况,建立了锯切SiC表面裂纹预测的理论模型。建立了锯切SiC表面裂纹深度与锯切力之间、表面粗糙度与锯切力之间的理论关系,用于预测锯切SiC晶体表面损伤。根据锯切材料去除和损伤机理提出提高线锯SiC晶体切割质量的有效途径。