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本文利用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,以SiH4和H2作为反应气体源,用H2稀释的PH3和B2H6作为掺杂剂,通过改变掺杂浓度、衬底温度、SiH4浓度等工艺参数,在玻璃衬底上低温制备了N型掺磷氢化纳米硅(nc-Si(P):)H和P型掺硼氢化纳米硅(nc-Si(B):H)薄膜。利用-台阶仪测量了薄膜厚度,用Raman光谱仪、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)仪、紫外可见近红外分光光度计(UV-VIS-NIR)、霍尔测试仪和半导体分析测试仪对制备的薄膜样品进行了结构表征、组分分析和光电特性