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NiO是具有典型3d电子结构的金属氧化物,也是一种P型半导体材料。NiO因为在金属-氧化物-金属这种结构中表现出高低电阻的比例较大,能够作为阻变存储器的材料。在多晶NiO薄膜上作电极时,由于粗糙的表面与晶界在计量成分中的局部变动难以控制,可能会对NiO薄膜的I-V性能造成影响。单晶NiO薄膜较之多晶NiO薄膜有着很好的晶体结构与表面,能够降低材料中的缺陷,作为优良的阻变存储器材料在存储器领域有着广泛的应用前景。本论文从研究NiO薄膜在蓝宝石衬底上的外延生长过程出发,运用XRD、AFM表征