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本文采用发射光谱法(OES)和可调谐二极管激光吸收光谱法(TDLAS)对介质阻挡放电氩等离子体进行了诊断研究。利用发射光谱法测定了电子温度随放电电压、气体压强、气体流量以及氮气含量的变化规律,采用一种简单的方法——发射光谱分支比法(OES-BF)测定了Ar亚稳态数密度,并与吸收光谱求数密度的方法作了比较。利用可调谐二极管激光吸收光谱技术重点考察了氩亚稳态1s5、1s3的数密度和气体温度随放电电压,气体压强,气体流量,极板间距以及N2含量的变化情况。取得如下的实验结果：1)基于费米-狄拉克(F-M)模型和日冕(Corona)模型,利用发射光谱法分别对电子温度进行了测定。保持其他条件不变,当增大放电电压或N2含量,电子温度是增大的,当增大气体压强或流量时,电子温度是减小的。两种模型下计算的电子温度的变化趋势大体一致,但相同条件下F-M模型计算的数值要比日冕模型大(差值约0.1 eV)。2)利用OES-BF技术测定的亚稳态1s5、1s3的数密度随放电参数的变化趋势与吸收光谱法所测结果相似,其中所测的1S5数密度的数值大小与吸收光谱法的结果较为接近,但是所测亚稳态1S3的值却只是后者的1/2左右。3)利用可调谐二极管激光吸收光谱法计算了亚稳态1S5、1S3的数密度和气体温度。发现在实验条件范围内,Ar亚稳态数密度和气体温度随放电电压和流量的增大都先增大,之后逐渐趋于平缓,但是其随流量的变化幅度较小,增长较缓慢。随气压的升高,Ar亚稳态数密度和气体温度先增加并达到一个极大值,之而后逐渐降低。适当增大极板间距,Ar亚稳态数密度明显降低,但气体温度却有所升高。N2的加入对亚稳态有很强的淬灭作用,0.5%的N2就会使数密度下降到50%,但随着N2浓度的进一步增大,其数密度降低幅度变缓。