在惯性约束聚变中，作为燃料的靶丸小球在压缩后内部的密度可能不均匀，甚至存在微米级的空隙，这些不良结构将导致靶丸小球无法被点燃实行能量增益，进而导致点火失败，所以对靶丸内部结构进行检测非常有必要。X射线光栅相衬成像能对轻元素进行检测并获得吸收、折射和散射信息，显示更多的细节，比传统的吸收成像具有更大的优势，可以广泛用于生物医学，无损检测，材料科学等领域，因而逐渐成为近年来的研究热点。　　相位光栅和分析光栅是成像系统中的核心元件，对其进行参数设计和制作工艺探究越来越有必要。基于X射线光栅相衬成像对靶丸的检测，本论文利用实验室现有条件，结合成像系统要求，对成像系统的核心元件即相位光栅和分析光栅进行参数设计，并对其制作工艺进行探究。　　X射线光栅相衬成像在国内的系统入射光能量主要是20-30keV之间，而本论文选择的入射光能量为40 keV，光源到相位光栅间距为200mm。相位光栅的相位为π，槽深为51.67μm。根据系统的相干性要求和结构紧凑性，选定周期为5μm。根据光栅的衍射效率以及自成像距离确定占宽比为0.5，尺寸为10×10mm2。分析光栅的周期与相位光栅自成像周期一样，考虑成像系统的几何放大因子时，光栅周期为5.04μm。根据吸收率(30％)确定分析光栅槽深为51.89μm。根据光栅衍射效率，图像的衬度和信噪比确定占宽比为0.5，尺寸为15×15mm2。　　光栅制作利用了单晶硅的各向异性湿法腐蚀。相位光栅工艺主要包括晶向对准技术，光栅掩模制备，和湿法腐蚀技术。分析光栅的制作工艺建立在相位光栅制作工艺的基础上，还包括背面开窗，正面腐蚀和电镀。难点在于背面开窗和电镀。最终我们成功制备了符合设计要求的相位光栅，同时对于分析光栅的研制取得了阶段性进展。