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ZnO是重要的宽禁带半导体材料，通常是n型半导体， CuO是重要的窄禁带半导体材料，通常是p型半导体。它们都在光催化、太阳能电池、场发射器件和传感器件等方面有广泛应用。本论文采用电化学沉积法和热蒸发法成功制备出了ZnO多种形貌的纳米结构，采用电化学沉积法成功制备了CuO纳米花以及CuO纳米线/Cu2O量子点纳米结构。借助X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、透射电镜（TEM）、高分辨透射电镜（HRTEM）以及能谱分析仪（EDS）对材料微结构进行表征。借助拉曼光谱（Raman）、光致发光谱（PL）、紫外可见吸收光谱（UV-vis）对材料的光学特性进行了研究和探讨。1.多种形貌ZnO纳米结构阵列的可控合成以及光谱研究我们通过改变实验参数首次在低温60℃下采用无模板电化学沉积法成功制备多种形貌的ZnO纳米阵列，包括ZnO纳米棒阵列、纳米管阵列、顶端锥状纳米棒阵列、顶端槽状纳米棒阵列、顶端塔状纳米棒阵列等。多种形貌的ZnO纳米结构阵列的紫外可见光吸收谱变化范围为2.57到3.39eV。不同形貌的ZnO纳米结构阵列表现出不同的性质，在未来光学器件和场发射器件领域有着非常光明的应用前景。2. ZnO纳米刷的制备、微结构及光谱研究采用热蒸发法，在特定的条件下首次成功制备出的两种不同刷毛的ZnO纳米刷结构。通过XRD、 FESEM和TEM表征与分析，发现纳米刷主干沿[0001]方向生长。带状刷毛沿[1100]、[1010]和[0110]（或[1100]、[0110]和[1010]）三个等价方向生长，针状刷毛沿[1100]、[0110]、[1010]、[1100]、[0110]和[1010]六个等价方向生长。紫外可见吸收光谱的分析表明：ZnO纳米刷的带隙宽度分别为3.15eV和3.21eV,这是由于ZnO的纳米结构的小尺寸效应和量子尺寸效应的影响引起的。通过对比两种形貌ZnO的PL谱发现：两种ZnO纳米刷缺陷发光带，是ZnO的氧空位或锌缺陷以及ZnO结构分布引起的。3. CuO纳米花和CuO纳米线/Cu2O量子点的制备及光谱研究我们在低温下通过无模版电化学沉积法成功制备CuO纳米花结构和CuO纳米线/Cu2O量子点结构。我们通过XRD图谱结果进行分析，发现单斜晶向的CuO结构和立方晶相的Cu2O结构。分析CuO纳米花和CuO纳米线/Cu2O量子点结构的PL谱变化，推测CuO纳米线/Cu2O量子点结构比CuO纳米花缺陷少。观察CuO纳米花的Raman图谱未发现Cu2O特征峰，表明其产物为纯CuO；CuO纳米线/Cu2O量子点结构的Raman图谱为Cu2O的两个特征峰，我们分析CuO纳米线/Cu2O量子点结构表面CuO纳米线稀少，主要成份为Cu2O量子点颗粒。