【摘 要】
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碳化硅(SiC)是一种新型的宽带隙半导体材料,相比于Si、Ge等传统的半导体材料,SiC具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介电
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碳化硅(SiC)是一种新型的宽带隙半导体材料,相比于Si、Ge等传统的半导体材料,SiC具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性好等优良的物理化学性质,在高温高频,抗辐射和大功率等领域具有广阔的应用前景。本文主要采用在室温的条件下射频磁控溅射再高温退火的方法在石墨衬底上制备SiC薄膜。利用XRD、EDS、Ram等分析测试手段对制备的SiC薄膜进行检测分析,研究在石墨衬底上,以Si和C作为靶材的SiC薄膜工艺制备。本文的研究内容如下:第一章主要介绍SiC的结构、物理化学性质、在各领域的应用以及国内外的研究现状。第二章介绍了SiC薄膜的制备方法,并对各种工艺方法进行了比较总结。同时介绍了SiC薄膜的几种常用的表征方法。第三章主要介绍了磁控溅射镀膜的原理,本文研究所需要的实验仪器及测试仪器。并对仪器的工作原理进行了简单的介绍。第四章主要讨论了对石墨衬底进行加热的SiC薄膜制备方法,以及溅射C以引入C的缓冲层形成多层结构对SiC薄膜的形成的影响采用XRD、EDS、Ram对薄膜的成分和结构进行了分析。第五章总结与展望
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