纳米结构的取向性是未来纳米电子应用中的一个重要问题。大多数的电子器件要求纳米结构具有良好的取向性，可以精确控制纳米材料的位置，以获得预期的性能。近几年，大量的工作致力于研究无机纳米结构的定向阵列化排列，主要的研究方法包括L-B技术、微流体辅助法、电场/磁场驱动法、接触印刷法、气泡法等。通过这些方法得到的纳米线阵列广泛运用在无机纳米集成器件中如场效应晶体管、光电探测器、化学传感器等。最近，有机小分子纳米材料由于在分子设计和性能调控方面等具有更大灵活性和多样性，而受到广泛关注。有机纳米结构的定向阵列化生长对其未来器件应用起非常重要的推动作用。本论文着重研究了定向有机小分子纳米线阵列的制备及其在光电探测器方面的应用。一、利用光栅模板法诱导有机纳米线阵列的生长以及光电探测器研究酞菁铜是众所周知的性能优异的有机小分子半导体材料，其在静电复印、气体传感器、光电子器件等方面的应用已经被广泛研究。我们利用柔性透明的光栅模板辅助物理气相沉积法诱导生长酞菁铜纳米线，获得了定向生长的超长酞菁铜纳米线阵列。基于此纳米线阵列，直接在光栅基底上制备得到了柔性透明的光电探测器，器件响应速度快、稳定性高、重复性好。同时，可以利用PDMS印章法实现纳米线阵列的整体转移。转移后在PDMS基底上可以直接构筑性能优异的光电探测器件。这种在柔性基底上大面积生长有机纳米线阵列的方法，为今后有机纳米结构在集成器件中的应用提供了新的可能。二、基于有机纳米线阵列的肖特基结光电探测器及其器件集成通过溶剂挥发诱导自组装的方法，在预制了电极的基底上，定向生长周期性排列的大面积芳酸(SQ)纳米线阵列，同时一步完成了光电探测器件的构筑与集成。SQ纳米线阵列与Au电极间形成欧姆接触，与Ti电极间形成肖特基接触。器件性能研究结果表明，基于SQ纳米线阵列的肖特基结器件展现出比欧姆接触器件更高的灵敏度、更快响应速度。纳米线阵列器件与单根纳米线器件相比，器件性能更加优越。进一步对集成光电探测器件进行研究，发现每一个像素点上器件性能均一、稳定，高的集成度与操作像素产率展示了此方法在未来光电探测器集成器件中的巨大潜质。