本论文采用X射线衍射(XRD)分析、扫描电子显微镜(SEM)分析、原子吸收光谱(AAS)分析、红外光谱(FToIR)分析、原子力显微镜(AFM)分析，以及对工作温度．电阻、掺杂浓度-电阻、灵敏度等的测试，研究了化学共沉淀法和溶胶．凝胶法制备的SnO<,2>材料的相结构、晶粒尺寸和气敏性能；考察了SnO<,2>气体传感器的组分和加工工艺对气敏性能的影响。 采用化学共沉淀法，制备SnO<,2>纳米粒子。XRD和SEM测试结果表明：煅烧温度和煅烧时间对晶体结构和晶粒尺寸有显著影响：最终粉体呈球形，粒径大约为60nm。以Ni<2+>为掺杂离子，以AAS为手段，研究pH对掺杂离子利用率的影响。结果表明，随着pH值的增大，Ni<2+>的利用率逐渐提高，在pH=8时出现极大值，之后有微弱降低。 采用溶胶．凝胶法，以白云母和Al<,2>O<,3>陶瓷为基片，制备纯净及掺杂(Cu<2+>、Ni<2+>、Pd<2+>)的SnO<,2>纳米薄膜。XRD分析表明：掺杂后样品仍为金红石型结构，通过对晶胞参数及晶粒度的计算，可知随着掺杂量的增多，晶胞体积及晶粒度呈减小的趋势。利用AFM可以观测到薄膜表面较为平整，构成薄膜的粒子呈球形，尺度均匀，颗粒间有空隙，这种疏松的表面特征有利于提高纳米粒子表面对气体分子的吸附，进而改善元件的气敏性能。 对SnO<,2>气敏元件基体的掺杂量．电阻、工作温度-电阻、灵敏度等的研究表明，掺杂量越大，SnO<,2>薄膜的电阻越大，随着工作温度的升高，不论是纯净的还是掺杂的SnO<,2>薄膜，其电阻均呈降低的趋势。通过对H<,2>的气敏性能测试表明，掺杂SnO<,2>薄膜对H<,2>有更好的灵敏度。 理论分析表明，气敏传感器的电阻与载流子迁移率密切相关，迁移率随温度的变化决定了工作电阻的变化；纳米级SnO<,2>材料的量子尺寸效应和表面效应使得SnO<,2>气敏传感器性能优化。通过掺入贵金属或过渡金属离子，可以提高材料的灵敏度。