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近年来,有机电致发光（OLED）及量子点电致发光（QLED）显示技术已经开始以各种方式逐渐进入市场,对液晶显示（LCD）技术大有取而代之之势。相比于LCD显示技术,OLED和QLED具有许多潜在的优势和特点,如主动发光,较快的响应时间,更加低的功耗,更广的发光色域。另外,它们还可以制备成柔性显示,满足高端及特定环境中显示的需要。在2018年,三星,京东方和维信诺等几大显示公司都已经将主动矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示进行了量产。而相较于OLED,QLED本身还具有其他的一些优势。主要有以下两个方面:首先,QLED和OLED两个最主要的区别在于发光层材料不同。QLED是基于无机半导体量子点的电致发光,而OLED的发光层是有机物构成。理论上说,无机半导体量子点的稳定性要高于有机小分子及聚合物;另一方面,由于量子限域效应,使得量子点材料的发光线宽更小,从而使其具有更好的色纯度。目前,QLED的发光效率已经达到商业化的需求。然而,器件的寿命,尤其是蓝光器件的寿命还较低。我们知道,理解器件的工作机制是优化器件的前提。因此,本论文主要从探讨器件的工作机制出发,优化器件结构从而改善器件性能。首先,我们研究了空穴传输层在有机/无机杂化的QLED器件中所起的作用和对器件性能的影响。我们选用CuInS2/ZnS（CIS）quantum dots（QDs）作为发光层,器件结构为ITO/ZnO/CIS/HTL/MoO3/Al,在本论文中使用了四种有机空穴传输层分别为4,4’,4’’-Tris（carbazol-9-yl）triphenylamine（TCTA）,4,4’-bis（9-carbazolyl）-2,2’-biphenyl（CBP）,di-[4-（N,Nditolylamino）-phenyl]cyclohexane（TAPC）,and N,N’-Bis（naphthalen-1-yl）-N,N’bis（phenyl）-benzidine（NPB）,这四种空穴传输层具有不同的迁移率和能级结构。我们通过对器件光电特性的测试[例如:电致发光光谱的测试（EL）,电容-电压（C-V）以及瞬态电致发光的测试（TREL）],分析了器件中载流子的分布和器件的发光机制。我们发现,在倒置有机/无机杂化器件中,空穴传输层的特性决定了器件的发光机制是电荷直接注入方式还是能量传递方式。最终,我们得到了以深红色CIS QDs为发光层的高性能的QLED器件,器件的最大效率为2.0 cd/A,最大亮度为3000 cd/m2。然而,有机材料的物理化学稳定性要低于无机材料。所以,在基于上述杂化器件工作的基础上,我们还研究了以NiO为空穴传输层、ZnO作为电子传输层的全无机QLED器件。如前所述,在有机/无机杂化的QLED器件中,空穴传输层对于器件性能有着极大的影响。此处,我们采用性能优异的Znx Cd1-x-x Se/ZnS量子点作为发光层构筑了结构为ITO/NiO/QDs/ZnO/Al的全无机器件,探究了以NiO为空穴传输层的器件中由NiO引起的量子点淬灭的机制。主要从两个方面考虑器件中量子点淬灭的来源:一是由NiO引起QDs的激子解离;另一个是由于NiO引起的量子点充电效应。最终我们证实量子点的充电效应是限制NiO作为空穴传输层的全无机器件性能的主要原因。而这一充电效应可以通过增加量子点的壳层厚度而得到了极大的抑制。