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该论文的目的就是开展适合微波器件应用的铊系大面积、双面超导薄膜的研制.采用两步法制备铊系超导薄膜.首先,利用脉冲激光沉积(PLD)或磁控溅射等工艺在(001)LaAlO<,3>基片上制备不含Tl的非晶的Ba<,2>CaCu<,2>O<,x>先驱体薄膜;第二步,是铊化处理.这一步是制备Tl-2212薄膜的关键工序,目的是使非晶的先驱体薄膜晶化为Tl-2212.由于铊易挥发且有毒性,期望能把铊蒸气限制在一个密闭的容器内.我们分别在密封的钢容器内和半密封的坩埚内对先驱膜进行铊化处理,两种密封程度不同的容器都可以制备出适宜于薄膜器件应用的高质量的Tl<,2>Ba<,2>CaCu<,2>O<,y>高温超导薄膜,最高超导临界转变温度为108.8K,达的国际同类薄膜的水平.铊系薄膜的制备大都是用氧化铝坩锅或铊坩锅进行铊化,至今没有用密封钢容器制备Tl-2212薄膜的报道,由于高温钢能耐高温(1200°C),且韧性好于氧化铝坩锅,可以加压密封,密封程度也明显好于氧化铝坩锅,而且高温钢成本低、容易加工成各种形状和大小的容器,因此用高温钢容器作铊化装置,操作更安全、更经济.探索出一条低温长时间的稳定铊化结晶工艺,制备出高质量的双面T1一2212超导薄膜.零电阻超导转变温度分别为108.6K和106.7K,超导临界电流密度分别为1.17×10<6>A/cm<2>和1.0×10<6>A/cm<2>,(0012)峰摇摆曲线宽度分别为0.91°和1.21°.SEM图象表明表面呈现典型的层状和盘状结构,可见清晰的螺旋生长和层状生长条纹,ψ扫描曲线表明薄膜结构均匀,沿C轴方向定向生长,而且各晶粒面内a、b向相互平行.薄膜生长机理为螺旋生长和层状生长的共同控制T1-2212超导薄膜的生长.设计和组装了三套用于不同条件下对先驱体薄膜进行铊化处理的后退火装置(包括半封闭的管式炉铊化退火装置两套和封闭的马弗炉铊化退火装置一套),并对实验室的防污染系统进行了改造.