系统级、微型化和低成本集成封装是微电子机械系统(Micro-electro-mechanical System,简称MEMS)封装的一大趋势,而封装基板技术为系统提供支持、保护和电互连作用,是三维(Three-dimensional,简称3D)系统级MEMS封装的关键技术。将无源元件埋入封装基板,是进一步减小MEMS系统封装体积的重要途径。在系统级MEMS封装基板材料中,玻璃具有低热膨胀系数、大光学带宽、高电阻率、气密性、防潮性、化学稳定性和低成本等优势,极具发展潜力。但是,玻璃的加工难度大,现有基板工艺也难以直接应用,因此亟需发展成套的MEMS封装玻璃基板加工技术以及设计方法。本论文基于热成型技术,提出一种埋入无源元件型MEMS封装玻璃基板的新型制备技术,并研究其设计方法。首先,本论文设计将导电通路、电阻、电容、电感、滤波器等埋置于玻璃基板内部,设计采用玻璃回流工艺制备埋入无源元件型玻璃基板。该设计充分利用基板内部空间,释放更多表面空间应用于3D集成,显著缩小封装体积。接着,本论文对埋入型基板设计思路进行实验验证。实验结果表明,所制备埋入玻璃基板元件的线宽为50-200um,厚度200um,可制备深宽比2.5的微结构。玻璃回流工艺利用高温熔融玻璃无孔洞包覆微结构,可大批量、低成本地制备埋入型玻璃基板,元件厚度高至上百微米,有效拓宽信号通路,减小电阻,而传统表面微加工工艺制备的元件最厚为20-30um。然后,本论文对埋入型基板设计思路进行HFSS仿真验证。仿真结果表明,采用导电TGV实现共面波导的3D互连结构损耗较低,可应用于实际生产。电感厚度增加可降低回波损耗和插入损耗,大幅度提高品质因数,小幅度减小有效电感,而玻璃回流工艺制备的埋入玻璃基板电感厚度可高至上百微米,验证了该工艺和该设计思路的实际应用价值。以高掺杂硅作为电感材料损耗较大,品质因数较低,不适合应用于实际生产。以铜作为电感材料电磁性能优良,不同结构电感具有不同范围的品质因数、有效电感和频率。随着厚度增加,电感品质因数增加率减小,到达一定厚度后存在品质因数滚降现象,而有效电感持续缓慢减小,因此,厚度作用范围并非无穷大。最后,本论文对设计、实验和仿真进行总结概括,并提出新的研究思路。