【摘 要】
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拓扑物态近年来日益成为凝聚态物理中热门研究领域。从Kosterlitz-Thouless相变到TKNN不变量,从量子Hall效应到量子自旋Hall效应,人们对凝聚态物理中拓扑的概念理解更加深刻。以HgTe/CdTe量子阱为起点,至今已发展出多种拓扑材料,比如拓扑绝缘体和拓扑半金属等等。这些拓扑材料中出现了许多新奇的物性,也为未来电子工业发展提供了材料备选。非饱和的大磁阻是固体材料中一种有趣的输运现
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拓扑物态近年来日益成为凝聚态物理中热门研究领域。从Kosterlitz-Thouless相变到TKNN不变量,从量子Hall效应到量子自旋Hall效应,人们对凝聚态物理中拓扑的概念理解更加深刻。以HgTe/CdTe量子阱为起点,至今已发展出多种拓扑材料,比如拓扑绝缘体和拓扑半金属等等。这些拓扑材料中出现了许多新奇的物性,也为未来电子工业发展提供了材料备选。非饱和的大磁阻是固体材料中一种有趣的输运现象。我们通过高达38 T的强磁场测量,在拓扑绝缘体候选材料TaSe3中观测到了 103%量级的大磁阻现象。同时,Shubnikov-de Hass量子振荡表明Fermi面附近有两个振荡频率。通过和第一性原理计算对比,说明这两个振荡频率来源于一个空穴口袋和两个相同的电子口袋。进一步通过细致的Hall输运测量,我们的两带模型拟合发现在稳定低于20 K时,载流子浓度比nh/ne大约为0.9,表明TaSe3中的大磁阻现象来源于载流子补偿机制。超导现象是凝聚态物理中常见的输运现象。我们通过系统地研究Mol-xTaxTe2的输运性质,发现随着Ta掺杂量的增加,MO1-xTaxTe2出现了同机械压力下相似的1T’到Td的结构相变和超导相变,且其c轴层间距也出现了减小的趋势。通过计算,我们发现结构相变同计算结果吻合。
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