由于乙二胺四乙酸（EDTA）、氨三乙酸（NTA）、柠檬酸等有机配体的大量使用，Cr(Ⅲ)在电镀、制革、金属表面处理等工业废水中通常以稳定的有机络合态存在。现有的处理方法，如臭氧氧化、电化学氧化等，难以实现对Cr(Ⅲ)-有机配体的有效去除，且易生成毒性更高的Cr(Ⅵ)，使其应用大大受限。因此，亟需开发低Cr(Ⅵ)产生、高效破除Cr(Ⅲ)络合物且可实现Cr同步去除的处理技术。光化学氧化技术因具有处理效率高、兼具氧化和还原作用、无二次污染等优点而在水与废水处理中受到广泛关注。Cr(Ⅲ)-羟羧/氨羧络合物在光作用下通过配体与金属的电子转移过程（LMCT）脱羧降解，同时产生有机自由基、O2?-和CO2?-等还原性物质，有望实现对光氧化过程中形成Cr(Ⅵ)的原位还原，且释放的Cr(Ⅲ)可在中碱性条件下同步沉淀去除。基于此，本研究以Cr(Ⅲ)-EDTA为目标物，系统研究Cr络合物在光氧化过程中的破络、Cr(Ⅵ)还原与Cr沉淀去除特性与机理。
　　结果表明，光氧化能有效实现Cr-EDTA的降解，反应60min可完全去除Cr-EDTA，反应180min总Cr和TOC去除率分别为84%和78%；Cr(Ⅵ)生成随光照时间的延长呈先升高后降低的趋势，中间形成的还原性物质对Cr(Ⅵ)的积累具有一定的削减效果。溶液初始pH从6.0增加至10.0促进了Cr-EDTA、总Cr和TOC的去除，同时形成的Cr(Ⅵ)低于1.5mg/L，但继续升高则表现出抑制作用。Cr-EDTA初始浓度和光强度的增加加速了Cr-EDTA光降解。溶解氧的降低有利于Cr-EDTA和总Cr去除，同时能减少Cr(Ⅵ)的累积。共存的Cl-、Cu2+和Ni2+对Cr-EDTA的光降解影响不大，而NOM、甲醇和叔丁醇的加入则呈明显的抑制效果。光氧化对络合Cr实际工业废水具有一定的处理效果，总Cr去除率为65%，累积Cr(Ⅵ)2.05mg/L。外加一定的Fe2+可有效去除Cr-EDTA光氧化过程中残留的总Cr和Cr(Ⅵ)。
　　溶解氧（DO）的降低促进了Cr-EDTA光降解过程中总Cr去除，并能有效抑制Cr(Ⅵ)的积累。在DO低于5mg/L，残留的Cr低于1.0mg/L，累积的Cr(Ⅵ)低于0.1mg/L。相比不曝N2的条件下（DO≈8mg/L），在广泛的pH6.0-10.0和Cr-EDTA浓度0.05-0.25mM的范围内，曝N2（DO≤5mg/L）均能提升对总Cr去除和Cr(Ⅵ)削减，且较少受共存的离子和有机物的影响。实际铬络合废水的处理效果也优于不曝N2的条件下，总Cr去除率为83%，比不曝N2提高18%，且累积Cr(Ⅵ)低于0.22mg/L。
　　沉淀物的XRD结果表明Cr-EDTA光降解过程中释放出的Cr以Cr2O3形式沉淀，降解过程中的氨氮的生成和中碱性pH有利Cr3+水解生成Cr2O3；光照后Cr-EDTA红外光谱图中羧基和C-C键明显减弱和70~80%TOC矿化表明Cr-EDTA光降解是逐步脱乙酸基的过程；基于曝N2条件下可忽略的Cr(Ⅵ)累积（＜0.1mg/L），由LMCT诱发形成O中心自由基的β-断裂产生的C中心自由基可能是光降解过程中削减Cr(Ⅵ)的主要还原性物质，从而大大降低Cr(Ⅵ)累积。Cr-EDTA光氧化破络是通过LMCT诱发的逐步脱羧和释放的Cr3+水解沉淀的联合作用实现的。