硼掺杂金刚石膜以其在电化学方面的性质和各种可能的应用引起了科学家们的密切关注。研究结果表明,高硼掺杂金刚石膜是一种极佳的电极材料,它具有良好的导电性。同时它表面的共价结构、很宽的带隙和掺杂等,使它作为电极材料的性质大大优于传统的玻璃碳、热解石墨及其他形式的电极。高硼掺杂金刚石膜电极有很宽的势窗、很小的背景电流、很高的化学和电化学稳定性、没有有机物和生物化合物的吸附、其电化学响应在很长的时间内保持稳定、耐腐蚀等。由于这些优越性,使得高硼掺杂金刚石膜电极有极广阔的应用前景。目前已被广泛研究的有电分析、电合成、有毒有机物的电化学处理等方面。掺硼金刚石薄膜BDD(Boron-doped Diamond)可通过CVD方法沉积在不同的基底材料上,由于钛(Ti)具有价格低廉、机械强度高、若部分金刚石薄膜脱落可生成氧化钛TiO2实现电极的自我保护等优点,从而受到了人们的青睐。本文采用热丝分解(HFCVD)方法,在钛片上沉积金刚石薄膜,用三氧化二硼B2O3作为硼源,在金刚石薄膜生长之前,会形成一层过渡碳化钛TiC层,它能确保在钛和金刚石之间有良好的电接触但同时导致了金刚石薄膜很差的附着力,以此做电极电解时容易脱落而影响电极的寿命。通过基片沉积前钝化预处理、改变碳氢比及掺杂硼的含量可有效的抑制TiC层的生成。用X射线衍射仪(XRD)和金相显微镜观测沉积的金刚石薄膜,并在1M H2SO4溶液中用循环伏安法测定金刚石薄膜的电化学特性。