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近年来自旋半导体电子学的飞速发展使人们将目光转移至氧化物稀磁半导体材料的探究上来。在针对SnO2基稀磁半导体的研究上,已证实3d过渡金属掺杂、少数未掺杂SnO2纳米材料都具有室温铁磁性。而关于2p轻元素掺杂SnO2纳米材料的d0铁磁性研究,还仅停留在理论计算层面。基于此,本文采用化学气相沉积法,制备了N掺杂SnO2纳米材料,并研究了N掺杂量及其对SnO2纳米材料d0铁磁性的作用。借助将SnO2纳米线在NH3气氛下退火处理的方式,获得N掺杂SnO2纳米线,并系统研究了退火温度、NH3通量、退火时间对N掺杂量及d0铁磁性的影响。采用XRD、XPS、VSM等测试方法,同时结合对样品表面刻蚀后的分析,得到如下结论:退火处理对SnO2纳米线的形貌没有影响,但在不同退火温度和NH3通量下,SnO2纳米线的晶格常数有变化,这是由N原子替代O原子所导致;制备的N掺杂SnO2纳米线均呈现内禀的室温铁磁性,并且铁磁性与纳米线的表面氧空位无关;退火时间对SnO2纳米线N掺杂量及d0铁磁性影响不大,而退火温度、NH3通量对SnO2纳米线的N掺杂量及d0铁磁性均有一定影响,影响因素分为NH3表面吸附和N原子替代这两个部分。其中,NH3吸附是导致SnO2磁性骤降的原因,而N原子替代则加强了SnO2的铁磁性。为了进一步佐证掺杂N原子对SnO2铁磁性的影响,同时排除NH3吸附对d0铁磁性的影响,制备出Sn的氮氧化物SnxNyOz,对其进行退火处理并分析d0铁磁性来源。结果表明:N原子替代确实会引起样品铁磁性增大。而本实验得出的结果也是对目前有关理论计算研究成果的佐证。