CaCu₃Ti₄O₁₂（以下简称CCTO）陶瓷是一种具有钙钛矿结构的材料,其介电常数在10²¹0⁵Hz的频率范围内几乎不变。除了具有典型的TiO₆八面体外,CCTO具有的刚性CuO₄正方形结构能够有效抑制钙钛矿结构的铁电相变,使得CCTO的介电常数在100⁶00K的温度范围内几乎不变,优异的介电性能使CCTO有望替代目前广泛使用的铁电体材料。不过,巨介电常数往往伴随着高介电损耗。严重限制了CCTO材料的实际应用。本文中的CCTO陶瓷均由传统的固相反应法制备。采用X射线衍射仪（XRD）对陶瓷试样进行晶相分析;采用场发射扫描电镜（SEM）,通过背散射电子成像法观察陶瓷表面形貌;采用能谱仪（EDS）分析晶粒、晶界元素的分布;采用X射线光电子能谱（XPS）研究CCTO陶瓷中的金属阳离子价态变化。并采用宽频介电谱测试系统测量试样在不同温度下的介电频谱。本文研究了Ca位和Ti位的施主和受主掺杂对CCTO陶瓷介电性能和点缺陷结构的影响。实验表明施主掺杂能有效地降低中频介电损耗,但同时晶界区肖特基势垒高度降低,引起低频介电损耗的增大。受主掺杂CCTO陶瓷晶界肖特基势垒上升,使低频介电损耗减小。受主掺杂使晶粒电导减小,所以高频介电损耗也随之减小。同时通过Cu²⁺和Ca²⁺的相互替位形成A位的错位掺杂,发现A位的错位掺杂对CCTO陶瓷各项性能的影响不大。其中Cu²⁺替位Ca²⁺后的CCTO陶瓷表现出的性能变化类似于施主掺杂的情形,有助于中频损耗的减低。而尽管Cu元素含量的增加引起了晶界析出物的增加,但CCTO陶瓷总体介电性能的变化并不大。图57幅,表8个,参考文献60篇