CH3NH3PbI3钙钛矿材料的制备与光电性能研究

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有机无机杂化钙钛矿材料作为直接带隙半导体,其具有光吸收系数高,电荷扩散距离长,载流子迁移率高等优异性能。其中CH_3NH_3PbI_3钙钛矿材料的带隙在1.5eV左右,可以吸收近红外到紫外范围的太阳光,采用CH_3NH_3PbI_3钙钛矿材料作为光吸收层可以获得性能良好的光电器件。我们基于CH_3NH_3PbI_3钙钛矿材料制备了太阳能电池,并对其制备工艺进行了优化;通过PCBM与CH_3NH_3PbI_3钙钛矿材料共同退火的方法制备了含有介孔PCBM骨架的钙钛矿太阳能电池;采用加热饱和先驱物溶液的
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