极紫外光刻是下一代大容量集成电路制造中最有发展前景的技术之一，而激光等离子体光源(LPPS)因具有转化效率高，碎屑可控制，光源尺寸小等特点而被认为是实现极紫外光刻最有潜力的途径之一。然而，光源产生的同时会伴有离子碎屑的喷溅，尤其是高能碎屑会损坏极紫外光刻中的光学元件，因此碎屑的减缓及阻挡一直是光源研究中亟需解决的关键问题。使用双脉冲激光辐照靶材已被证实是一种对减缓碎屑切实有效的方法，此时，初始密度低、密度分布平滑的预等离子体代替了传统的全密度固体靶材与主脉冲相互作用，大幅度降低了离子碎屑的动能，并且同时不会影响光源的转换效率。　　本论文通过引入不同波长的预脉冲激光用于减缓Gd等离子体中离子碎屑，研究此过程中的碎屑动力学特性。在真空环境中，采用1064nm主脉冲激光以及波长为1064nm、532nm以及355nm的预脉冲激光共同辐照Gd靶材，通过改变预脉冲激光能量以及双脉冲间延迟时间研究其对离子动能以及角度分布影响规律。在背景气体环境中，采用1064nm主脉冲激光以及波长为1064nm、532nm以及355nm的预脉冲激光共同辐照Gd靶材，研究不同气体压强条件下的Gd离子碎屑动能分布，研究结果表明双脉冲技术可以有效降低背景缓冲气体的使用量。