基于Ⅲ族氮化物的发光二极管(LED)器件在我们的日常生活中引起了广泛的关注和应用,例如光通信、交通信号、全彩色显示屏以及液晶显示屏的背光。但随着科技飞速发展,早期的液晶显示技术逐渐无法满足市场的需求,Ga N基Micro-LED阵列由于其优越的性能,如高亮度、低延迟、较长的使用寿命和高对比度,逐渐受到显示行业的青睐。本文详细介绍了LED外延片工艺制造流程,设计并制造了基于Ⅲ族氮化物(Ga N)的Micro-LED显示阵列。对于Micro-LED阵列中芯片数量逐渐增加导致的热量积累问题,研究了Mini-LED阵列的热稳定性与温度均匀性。本文还对基于柔性透明聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上的32×32 MiniLED阵列进行热稳定性分析,同时分析其在固定工作亮度下的温度分布均匀性。在室温下测得该阵列的最高亮度超过5000 nits,能较好满足户外显示所需亮度。实验结果表明,即使工作亮度超过5000 nits,LED阵列表面的温度差也小于9℃,平均温度为33℃。在以PET基板为衬底的条件下,该Mini-LED阵列实现了优异的散热效果。在三种不同的亮度(10、700和5000 nits)下计算出电致发光光谱(EL)的色差,计算得出的色差值远小于人眼的颜色判别阈值(0.005),在亮度和色差要求上均满足显示行业的要求。同时,该LED阵列由于其EL半高宽较窄(20nm)实现了比Rec.2020色域更广的蓝光色坐标,为Micro-LED显示技术的应用打下基础。