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本论文的主要工作是采用射频磁控溅射制备硼碳氮(BCN)薄膜,研究了各实验参数对硼碳氮薄膜的生长行为和结构的影响,对硼碳氮薄膜制备工艺进行了系统的、深入的研究。采用磁控溅射方法,以六方氮化硼和石墨为靶材,以氩气和氮气为工作气体,成功地在单晶硅上沉积出质量较好的硼碳氮薄膜。实验中氮化硼溅射采用射频源,石墨溅射采用直流源。得到制备硼碳氮薄膜的合适条件为:射频功率为200W,直流功率是60W,基底偏压为-50V,工作气压为1.0Pa,基底温度为500℃,氮气与氩气的比例为10:40。采用傅立叶变换红外光谱、