新型半导体材料的电学性质研究

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【摘要】

：

该文首先对用于测量半导体器件电学性质的仪器Source Meter和LCR Meter的原理做了简要介绍,同时也对两台仪器的相应软件开发过程及其所能实现的功能进行了说明.接下来我们报

【作者】

：

王凯

【机构】

：

上海交通大学

【出处】

：

上海交通大学

【发表日期】

：

2003年期

【关键词】

：

电容电导纳米硅薄膜 PbSrSe薄膜等效电路模型晶界势垒

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该文首先对用于测量半导体器件电学性质的仪器Source Meter和LCR Meter的原理做了简要介绍,同时也对两台仪器的相应软件开发过程及其所能实现的功能进行了说明.接下来我们报导了近期完成的对纳米硅和PbSrSe薄膜的电学性质的研究.这两种材料作为近期半导体研究的新材料和新器件在光电子器件方面有广泛的应用前景.

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