ZnO（Zinc Oxide）是II-VI族具有纤锌矿结构的直接带隙半导体材料,晶体类型为六角柱结构。ZnO禁带宽度为3.34eV,在氢等离子体中具有很高的稳定性,而且Zn储量丰富、无毒,具有适宜的光电特性,是极具竞争力的透明导电膜材料。本文以ZnO粉末和Al₂O₃粉末为主要原料,以常压、空气气氛烧结为手段制备透明导电膜用ZnO陶瓷靶材。系统研究了粉末成型压力、Al₂O₃掺杂量、Al掺杂量、烧结工艺等因素对ZnO陶瓷靶材电学、物理性能以及显微形貌的影响规律。研究结果表明:1、粉末成型压力为3MP时,靶材电学性能最佳;2、当Al:Zn原子比为4.0:100时,ZnO的电阻率最低,达4.1×10^-3Ω·㎝,当Al掺杂量超过某一数值后,Al不再以替位离子形式存在,而是与周围的Zn、O原子共同作用,生成锌铝尖晶石相,从而导致材料的电阻率升高。3、在1350℃时,表面形貌上靶材表面晶粒间结合的致密。从断面形貌看,气孔较少,主要存在晶粒交界处,气孔圆化,基本上达到了陶瓷靶材的烧结终点。4、当选取Al粉作为掺杂时,温度系列可以看出,在1050℃晶粒尺寸最大,同时得到的电阻率相对较低。