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LaNiO3氧化物具有优良的室温导电性能，且具有与PZT等铁电材料相似的钙钛矿结构，被认为是理想的电极和缓冲层材料。在Si基板上制备取向性LaNiO3薄膜对于制备取向性PZT薄膜，进而制备硅基铁电器件具有重要意义。 本文采用溶胶-凝胶工艺，以La(NO3)3·nH2O、Ni(CH3COO)2·4H2O为原料，乙二醇甲醚或乙二醇甲醚和乙醇的混合液为溶剂，制备了稳定的LaNiO3溶胶。采用浸渍提拉法在硅基板上制备了导电性能良好，高(100)取向的LaNiO3薄膜。研究了溶液浓度、溶剂组份、热处理工艺、不同取向Si衬底对LaNiO3(100)取向生长的影响。研究结果表明:溶剂成份和热处理工艺是影响LaNiO3薄膜(100)取向生长的主要因素。以乙二醇甲醚作为溶剂，控制LaNiO3溶胶金属离子浓度为0.1ml/L，以4cm/min的速度在Si基底上通过浸渍提拉法制备LaNiO3凝胶薄膜，将其直接放入事先在炉膛中己加热到750℃的水平Si基板上，在750℃处理5min后直接取出空冷至室温，重复10次后再在750℃终处理30min，可以制备得到取向度高达95％的(100)LaNiO3导电薄膜。 进一步在硅基LaNiO3薄膜上制备了取向度97%以上的(001)取向PZT铁电薄膜，铁电性能测试表明:本实验工艺制备出PZT铁电薄膜，剩余极化值达到26.6μC/cm2，相对于LaNiO3/Si基板上随机取向的PZT铁电薄膜剩余极化值16.2μC/cm2，提高了60%以上。Si基(001)PZT/(100)LaNiO3薄膜在109次循环后没有发现PZT薄膜有明显的疲劳现象，具有良好的抗疲劳特性。