ZnO因其优异的光学性能及其它明显优势而被认为是GaN的潜在替代材料,在近年来日渐受到人们的广泛关注。然而,ZnO薄膜材料的p-型掺杂问题一直没有被解决。本文以N₂作为ZnO薄膜材料的p-型掺杂剂,利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO:N薄膜,通过改变一系列生长参数进行探索比较,对其结构和发光性能进行了研究,主要内容如下:1.通过XRD衍射谱分析了衬底温度、氩气氮气流量比、工作气压、退火条件、溅射过程中补充一定量的氧气对薄膜中晶粒大小,晶粒生长取向情况、应力大小等结构特性的影响。采用控制变量法,依次改变薄膜溅射、沉淀过程中的各主要参数,找出晶体结构缺陷密度小、薄膜晶粒取向性好的薄膜制备工艺参数。在较低功率、较低温度下,获得了质量较好的ZnO:N薄膜。2.通过室温光致发光谱（PL谱）的研究,分析了衬底温度、氩气氮气流量比、工作气压、退火条件、溅射过程中补充一定量的氧气等主要工艺参数对薄膜紫外发射峰及可见光波段的常见发射峰的影响;并结合薄膜中的应力大小、晶粒大小、晶粒取向等结构特点,分析了ZnO:N薄膜结构与发光特性之间的关系。3.结合ZnO:N薄膜的制备条件和室温光致发光谱讨论了影响ZnO:N薄膜紫外光发射的各个因素,分析了ZnO薄膜中晶粒内的各种缺陷态与可见光波段的几个常见发射峰之间的关系,讨论了薄膜内应力对几个常见发射峰的影响,分析了紫外光发射、可见光发射的机理,并对如何优化薄膜紫外光发射、可见光发射进行了讨论。