电子快速发展,需要具有高介电常数的材料,用于制备用埋入式元器件,从而使得集成电路小型化。现行的无机和有机介电材料难以满足实际需求。本文设想通过制备无机/有机复合材料,来解决当前对高介电材料的需求。本文运用了不同的方法制备出钛酸铜钙(CCTO)粉末填料,再次基础上,利用具有优良的耐热性能和绝缘性能的聚酰亚胺(PI)材料作为基体,运用原位聚合的方法,制备出CCTO/PI复合薄膜材料。运用XRD,FTIR,SEM,TGA,阻抗分析等对复合材料进行相应的表征。结果表明,在1000℃下,利用固相煅烧的方法,产物经过球磨之后,能够制备出用于后续制备复合材料的CCTO粉末。在复合材料之中,CCTO能够较为均匀的分散在PI基体之中,当填料含量达到40vol%时,复合材料的介电常数在100Hz下达到60,是基体的17倍。且经过KH550改性后,复合材料的介电常数得到了进一步的提高。复合材料的电学性能受到填料含量的影响,在较高的填充含量和较低的填充含量下,表现出来显著的区别。TGA表明,复合材料具有良好的热稳定性能,其初始分解温度在500℃以上。此种复合材料有望在集成电路领域得到应用。