功率器件的隔离驱动电路是PWM变流器中电子电路与电力电路的重要接口，电磁隔离驱动电路具有开关频率高、副边无需额外增加电源、可靠性高等优点，在高可靠性电力电子装置中得到应用。但是，传统的电磁隔离驱动电路适用于50％恒定占空比的移相控制电路中，本文主要研究能用于占空比宽范围变化的PWM变流器中的MOSFET器件电磁隔离驱动技术。　　首先分析了MOSFET器件的开通关断过程，提出了MOSFET器件对驱动电路的要求。论述了单端电磁隔离驱动电路和双端电磁隔离驱动电路的工作原理和电磁过程，指出了单端磁隔离驱动电路的缺点，着重研究了双端电磁隔离驱动电路的特性及其在宽范围占空比变化条件下的适应性改进。　　设计了双端电磁隔离驱动电路，给出了高频脉冲变压器的设计计算方法，测试了驱动电路的性能。结果表明，所设计的电磁隔离驱动电路能够输出满足MOSFET器件开关要求的驱动信号，能够在占空比50%条件下正常驱动MOSFET器件的开通和关断。　　结合实验分析了传统电磁隔离驱动电路在宽占空比变化范围应用中存在的问题及其原因，提出了PWM延时与栅极电压保持电路相结合的可宽占空比变化范围工作的MOSFET电磁隔离驱动电路，阐述了其工作原理。设计了适用于SPWM半桥电路双MOSFET器件电磁隔离驱动电路，建立了SPWM半桥试验电路，测试结果表明，所提出的电磁隔离驱动电路能够适应宽占空比变化范围的应用场合。　　设计了单相逆变器系统，对占空比宽范围变化条件下的MOSFET器件电磁隔离驱动电路进行了实际应用验证，实验结果表明，所提出的电磁隔离驱动电路能够用于占空比在0.1~0.9范围内变化的PWM变流器开关器件的驱动。