铁电存储器是一类以具有铁电性的特殊材料制备的器件作为存储单元的存储器,它同时兼具了随机访问存储器的高读写速度和只读存储器的非易失性存储优点,填补RAM和ROM之间的空缺。随着集成电路制程的进步,存储器芯片中的存储单元尺寸越来越小,使得存储器中的存储阵列等电路在制造过程中更易受到非理想因素的影响而出现电路缺陷,进而可能使存储器出现存储功能故障。本文第二章以此为出发点,借助电路仿真,探究了铁电存储器的存储阵列中可能发生的物理缺陷,以及这些物理缺陷对应的故障表现形式,并结合铁电存储器的工作原理对相应故障的发生机理作了详细分析。在存储器的生产中,由于缺陷存储单元的存在,导致制得的存储器芯片中存在具有存储功能故障的芯片。为了降低制造成本,在存储器电路的设计中常常会预留一部分冗余存储单元用于替换故障的存储单元,以修复失效的存储器芯片,提高良率。随着存储器容量的不断提升,存储阵列的规模也不断扩大,随之涌现出诸多新的存储阵列电路架构。然而传统的基于熔丝编程的冗余修复方案在一些采用阵列分块设计的存储器应用中,存在不能在子阵列块之间共享冗余存储资源、冗余存储资源利用不充分以及修复成功率偏低等不足。针对这些不足,本文第三章中介绍了一种基于动态配置的冗余修复方案,它将用于寻址冗余存储资源的冗余修复电路设计成可以重复配置的方式;同时,还将三态内容可寻址存储器(TCAM)和小规模只读存储器(ROM)引入到冗余修复中,与冗余修复电路一道实现了对故障存储单元的冗余替换。此外,第三章中还介绍了与基于动态配置的冗余修复方案相适应的,用于修复存储器存储故障的多种基础修复方法,并结合这些基础修复方法和基于动态配置的冗余修复方案的特点,更进一步地介绍了几种有利于提高冗余资源利用效率的衍生修复方法。在本文的第四章中,采用混合阵列分块的方式设计了一种基于2T2C存储单元的1Mbit铁电存储阵列电路,并采用Verilog HDL和电路原理图相结合的方式将本文介绍的基于动态配置的冗余修复方案在铁电存储器的应用场景中加以实现。