二硫化铼因其面内各向异性及从块状到单层仍为直接带隙半导体的特征引起了人们的广泛关注。但是,当前通过自顶向下法制备出来的二硫化铼尺寸较小、材料也不均匀,因此,如何使用自底向上法也就是化学气相沉积法来制备大尺寸、高质量的单层二硫化铼就是一个迫切需要解决的问题。本论文围绕可控制备二硫化铼这一核心,使用碲辅助下的化学气相沉积法制备了大尺寸、高质量的二硫化铼,主要研究内容如下:1、改进实验工艺。基于铼-碲共晶原理,在反应中加入碲粉,降低铼粉的高熔点,降低了实验要求,提升了生长效率。同时,这个方案不会产生副产品、对人伤害小,降低了实验难度。2、使用碲辅助下的CVD法在云母衬底上生长单层二硫化铼,并对生长最佳的二硫化铼进行了表征。光学显微镜、扫描电子显微镜测试结果表明,所生长的二硫化铼呈锯齿状,尺寸可达20μm,大于其他文献中的数据。能谱仪、拉曼光谱和光致发光光谱的结果证实样品确实为二硫化铼,且没有碲元素和杂质残留,说明样品质量很好。3、通过控制衬底种类、铼-碲重量比、反应温度等参数,探究了不同制备条件对二硫化铼生长的影响,探索了使用CVD法制备大尺寸、高质量的二硫化铼的最佳生长条件。图52幅,表3个,参考文献32篇。