近年来,越来越多的类石墨烯二维材料受到重视,因其薄层和单层结构具有超越传统材料的优异性能。具有类似层状结构的硫族化合物就是其中比较重要的一类材料。本文所研究的材料是二维非金属硫化物三硫化二砷（As₂S₃）,这种非金属硫族化合物具有低维度、宽带隙的特点。目前国内外基本没有关于As₂S₃单层及薄层材料的研究,因此本论文旨在通过实验和测试挖掘该材料的光电性能。本论文利用物理机械剥离法对体材料进行“由厚到薄、由上到下”的剥离,制备出单层和薄层的类石墨烯三硫化二砷二维材料,运用光学显微镜对于材料层数进行初步判定,之后对目标样品进行原子力显微镜测试,确定其准确层数,进而对单层和薄层As₂S₃材料进行拉曼光谱表征以及光致发光光谱表征,研究其单层和薄层材料的光学性能。并利用微器件加工工艺,以单层As₂S₃作为沟道材料,制备场效应晶体管并对场效应晶体管的电学性能做了表征。本论文取得以下的主要进展：1、运用物理机械剥离法,多次成功剥离出单层以及薄层As₂S₃样品。通过扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）的测定,准确测定层数,并确定单层As₂S₃厚度约为0.7nm。2、针对不同层数的As₂S₃材料,分别进行拉曼光谱表征,确定了从体材料到薄层材料拉曼光谱的变化趋势,为后续研究提供理论依据。3、针对单层和薄层As₂S₃材料进行光致发光测试,发现激子发光峰,计算出材料激子束缚能为250meV。4、制备出单层As₂S₃场效应晶体管,通过测试发现As₂S₃为P型半导体。通过转移特性曲线计算载流子迁移率在背栅结构中为0.0154cm2/VS。开关比约为102,阈值电压为-20V左右,并分析其原因。