2微米波段阵列波导光栅的研究

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近年来,2μm波段光纤通信越来越受到关注。在该波段,掺铥光纤放大器具有更宽的增益谱,光子带隙光纤(Photonic Bandgap Fibers,PBF)具有更低的理论衰减值(0.1 d B/km),这些优势有助于解决目前光纤通信面临的数据流量大,而光谱资源有限的问题。密集波分复用(Dense Wavelength Division Multiplexing,DWDM)技术在光纤通信中是解决大容量信息传输问题的首选方案,阵列波导光栅(Array Waveguide Grating,AWG)是DWDM系统的关键器件,而目前有关2μm波段AWG的研究尚处于起步阶段,性能上有很大提升空间,比如器件损耗、串扰、尺寸、与CMOS兼容性等,因此2μm波段AWG的研究还需进一步深入。本文对适用于2μm波段DWDM技术的片上集成AWG器件开展研究。简述了片上AWG的发展现状,并对AWG的基本原理进行阐述,介绍了AWG各项参数的确定以及衡量AWG性能的各项指标。主要基于硅和氮化硅两种与CMOS兼容的材料体系,对高性能AWG进行设计与性能优化。讨论了影响器件性能的主要因素,仿真优化了不同波导缝隙距离对器件性能的影响。结果显示,硅基AWG的最小插入损耗为2.57 d B,通道串扰为-20.43 d B,器件最终尺寸约为1400×860μm~2。基于氮化硅材料平台在2μm波段AWG的设计,优化结果显示插入损耗为1.68 d B,通道串扰-24.62 d B,最终器件尺寸达到3×2.5 mm~2。基于硅和氮化硅的AWG设计都实现了较好的器件性能和较小的器件尺寸。此外,还针对2μm波段光纤与集成光波导的耦合问题,基于硅和氮化硅两种材料进行了光栅耦合器的设计。基于硅材料,分别设计了波导厚度为220nm和340 nm的光栅耦合器。相较于均匀周期光栅结构,通过啁啾光栅实现了31%的耦合效率。基于340 nm浅刻蚀啁啾光栅,实现了52.4%的耦合效率。基于氮化硅波导,实现了周期均匀的全刻蚀光栅耦合器,耦合效率最高可达到35.4%。
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