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ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体材料。室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,具有在近紫外发光、光学透明性、电子传导、压电性等独特性质,而成为重要的功能材料。Zn2GeO4是一种新型IV-VI族宽禁带三元化合物半导体材料。在兼顾ZnCO、GeO2材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点。本文利用化学气相沉积法(CVD),采用Au和ZnO籽晶层作为催化剂,在Si衬底上合成直立性良好的三元Zn2GeO4纳米结构；利用水热法在无衬底的情况下制备出了花状的三元Zn2GeO4纳米花型结构。