ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物材料，具有较大的禁带宽度(约为3.37eV)，ZnO激子结合能在室温条件下约60 meV，室温或高温环境下的受激发射效率较高。ZnO晶体具备非中心对称特性，因而压电和热电等方面具有优异的性能。纳米ZnO结构表现出的量子限域效应，使其在制作太阳能电池、传感器、光电器件、光电二极管、紫外发射器件等领域具有优异的研究和应用价值。因此，ZnO作为理想的半导体材料，近年来受到广大研究工作者的关注，并成为热点研究课题之一。　　 关于ZnO纳米材料的制备方法有很多，本文采用的是一种简单、易于操作的、可大批量生产的溶胶-凝胶法和化学水浴沉积法(CBD)组合制备高性能ZnO纳米结构，这种方法的优点是不需要特殊表面活性剂，能够在室温下生长，操作简便，材料低廉。本文采用CBD法制备出形貌可控的ZnO纳米粉末，包括:杆状、团状和花枝状纳米结构，研究了其结构特征和形貌特点，研究了不同浓度控制下ZnO形貌的演变过程以及生长机制。　　 其次，深入研究了在Si和黑硅衬底上制备ZnO纳米杆，通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱、光致发光光谱、X射线光电子能谱研究了衬底对ZnO结构的影响，结果表明，激光作用硅表面后，形成的黑硅材料上制备的ZnO具有较小的应力，为制备高质量的ZnO纳米结构奠定基础，并讨论了种子层对ZnO纳米杆长度和直径的影响，研究了调控机理。　　 最后，在以上研究的基础上，本文系统研究了氮化镓/蓝宝石衬底上六角形ZnO纳米结构的形成，通过研究实验参数对ZnO纳米结构的影响，可控制备出形貌各异的ZnO纳米结构;控制其生长动力学过程，制备出具有高(100)表面的ZnO纳米多层片，进一步给出了不同因素对ZnO晶片形貌和生长动力学过程的影响。