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信息时代的今天,磁记录是主要的存储手段。随着计算机及网络技术的发展,人们需要越来越高的数据存储密度,垂直磁记录介质是实现超高密度垂直磁存储的重要一环。Co-W合金由于具有较高的磁晶各向异性能,有望成为下一代高密度磁记录介质材料,因而得到广泛的关注。本文通过磁控溅射技术制备了系列不同成分与厚度的Co-W合金薄膜,并利用X-射线衍射技术和振动样品磁强计(VSM)对薄膜的微观结构、生长取向及磁性能进行了研究,探讨了晶体结构与磁晶各向异性能之间的关系,揭示了磁性层磁晶各向异性能的主要影响因素。获得了如下主要研究结果：(1)在具有hcp结构的Ru下底层上实现了hcp结构Co基薄膜的外延取向生长,MgO(111)//Ru(00·2)//Co-W(00·2)具有良好的取向附生关系。Omega扫描和Φ扫描结果表明Co-W薄膜成膜质量良好。(2)随着磁性层薄膜厚度的增加,Co(00-2)衍射峰强度逐渐增强,且衍射峰位向左稍有偏移。随着W含量的增加,Co(002)峰明显向衍射角减小的方向移动。(3)外延生长薄膜中产生的原子堆垛层错主要为生长层错,且生长层错α密度均低于10%,堆垛层错中没有变形层错存在。生长堆垛层错密度和fcc/hcp体积百分数基本保持恒定,不随Co-W磁性薄膜的成分和厚度而变化。(4)随着W含量的增加,饱和磁化强度Ms单调降低,由纯Co的1400emu/cc降低到14%W时的500emu/cc。(5)Co-W薄膜的晶格常数a和c随着膜厚和W含量的增加而增大,c/a逐渐增大。磁晶各向异性能Ku随着晶格常数比c/a的减小而增大。分析结果表明,堆垛层错和fcc/hcp比对Co-W的磁晶各向异性影响不大,晶格常数比c/a是影响磁晶各向异性Ku的最主要微观结构因素。(6)随着膜厚和成分的改变,体各向异性Kv和表面各向异性Ks发生变化,对磁晶各向异性常数均有一定的影响,导致Ku与1/t成非单调线性关系。