铜铟镓硒薄膜太阳能电池(CuIn1-xGaxSe2solarcells,简称CIGS)是上个世纪发展起来的的一种清洁的新型薄膜太阳能电池。1974年Bell实验室采用提拉法制备出了第一块CIS太阳能电池(CIGS是在CIS基础上演变而来的)。从此CIGS太阳能电池便成为各界学者的研究热点,迅速发展起来。2010年,德国一家太阳能和氢能研究机构(ZSW)近日宣布其铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池的光电转化效率达到20.3%。ZnO薄膜作为CIGS太阳电池的窗口层,由低阻ZAO薄膜和高阻i-ZnO组成,同时,ZnO薄膜也是CIGS太阳电池中重要的PN结组成部分。因此,近年来,ZnO薄膜的研究受到了广泛的关注。本文采用电沉积法在ITO导电基底、低阻ZAO薄膜基底和高阻ZAO薄膜基底制备了 ZnO薄膜。我们分析了不同时间下沉积的ZnO薄膜性质,利用X射线衍射仪和扫描电镜对ZnO薄膜的表面形貌和物相进行了表征,同时利用四方探针电阻仪对ZnO的电阻率进行了测试,利用紫外可见光谱仪对ZnO薄膜的光学性质进行了表征,同时,对比了不同基底下沉积的ZnO薄膜的性质。我们确定了最佳的沉积时间和最佳的沉积基底,从而得到适用于CIGS太阳电池的ZAO/ZnO双层薄膜。实验结果表明,当沉积时间为5分钟时,ZnO薄膜沉积在ITO、低阻ZAO和高阻ZAO薄膜基底上,均能够得到相对较好的ZnO薄膜。在ITO基底上,最大透过率接近73%,平均电阻在lOΩ左右,在低阻ZAO基底上,透过率可达87%左右,电阻率可达2.Ox10-3Ω·Cm,在高阻ZAO基底上,透过率可达82%左右,电阻达140Ω。对于不同基底上沉积制备的ZnO薄膜的对比,可以发现在ZAO基底上沉积得到的ZAO/ZnO薄膜,它的电阻率能够达到6.Ox10-4Ω·cm,且在波长为600nm-800nm范围内最大透过率能够达到90%左右。这种高透过率、高电阻率的双层薄膜在CIGS太阳电池中有着重要的应用。