ZnSe薄膜化学反应助热壁外延生长及性能表征

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【摘要】

：

ZnSe作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有禁带宽、直接带隙跃迁，激子束缚能大，光、电性能优良等优点，这使其成为蓝绿色发光、激光以及该波段相应的光学非线性材料，在光发射器件、非线性光电器件和红外器件等方面有着广泛的应用。目前ZnSe体单晶的制备技术尚不成熟，使用更多的是ZnSe薄膜和多晶。本文主要对ZnSe薄膜制备、结构和性能进行了研究。 ZnSe薄膜的制备采用化学反应助热壁外延法，通过将

【作者】

：

白大伟

【机构】

：

西北工业大学

【发表日期】

：

2007年03期

【关键词】

：

ZnSe薄膜热壁外延 Zn（NH4）3Cl5 分压

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