XB(X=As，Sb，Bi)及h--MgH2结构与性能调控研究

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【摘要】

：

二维材料因其优异的电子、光学以及拓扑性质,在传感器、微电子等领域具有很好的应用前景。一.我们采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了 XB(X为As、Sb、Bi)以及功能化修饰XB(XBZ2,Z为H、Cl、Br、I)单层薄膜的电子性质、光学性质和拓扑性质。声子谱的计算结果表明,除了 AsBI2和 SbBI2外,AsBH2、SbBH2、BiBH2、AsBCl2、SbBCl2、BiBCl2、AsBB

【作者】

：

龚旭

【机构】

：

北京化工大学

【发表日期】

：

2020年06期

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